SiCに含まれる微量なホウ素が近傍に不連続な界面を誘起、新手法で判明

SiCに含まれる微量なホウ素が近傍に不連続な界面を誘起、新手法で判明

名古屋工業大学(名工大)、茨城大学、広島市立大学、日本原子力研究開発機構(JAEA)、J-PARCセ…

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